PDTA123JS,126 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PDTA123JS,126
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PDTA123JS,126 Current - Collector (ic) (max): 100mA Current - Collector Cutoff (max): 1?µA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 500mW Resistor - Base (r1) (ohms): 2.2K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 47K Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: 934057560126, PDTA123JS AMO
• Количество страниц
  14 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  93,77 KB

PDTA123JS,126 datasheet скачать

PDTA123JS,126 datasheet